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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 293 - 297 (5page)
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We have studied the optical and electrical properties of a-IGZO thin films on the n-type semiconductor fabricated by RF magnetron sputtering method. The ceramic target was used in which In2O3, Ga2O3 and ZnO powder were mixed with 1:1:2 mol% ratio and furnished. The RF power was set at 25 W, 50 W, 75 W and 100 W as a variable process condition. The transmittance of the films in the visible range was above 80%, and it was 92% in the case of 25 W power. AFM analysis showed that the roughness increased as increasing RF power, and XRD showed amorphous structure of the films without any peak. The films are electrically characterized by high mobility above 10 cm2/V∙s at low RF power, high carrier concentration and low resistivity. It is required to study further finding the optimal process condition such as lowering the RF power, prolonging the deposition ratio and qualification analysis.
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A. Suresh / 2008 / Transparent, high mobility InGaZnO thin films deposited by PLD / Thin Solid Films 516 (7) : 1326 ~
Chen, X / 2005 / Influence of substrate temperature and post-treatment on the properties of ZnO:Al thin films prepared by pulsed laser deposition / Appl. Surf. Sci. 252 (5)
D.-H. Kim / 2008 / Technological status and prospect of oxide thin film transistors / KIC News 11 (5) : 1 ~
E. Fortunato / 2005 / Recent advances in ZnO transparent thin film transistors / Thin Solid Films 487 (1-2) : 205 ~
E. Terzini / 2000 / Properties of ITO thin films deposited by RF magnetron sputtering at elevated substrate temperature / Mater. Sci. Eng. B77 : 110 ~
Chen, X / 2005 / Influence of substrate temperature and post-treatment on the properties of ZnO:Al thin films prepared by pulsed laser deposition / Appl. Surf. Sci. 252 (5)
D.-H. Kim / 2008 / Technological status and prospect of oxide thin film transistors / KIC News 11 (5) : 1 ~
E. Fortunato / 2005 / Recent advances in ZnO transparent thin film transistors / Thin Solid Films 487 (1-2) : 205 ~
E. Terzini / 2000 / Properties of ITO thin films deposited by RF magnetron sputtering at elevated substrate temperature / Mater. Sci. Eng. B77 : 110 ~
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