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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 343 - 346 (4page)
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We have investigated growth of CdTe thin films by using (As, GaAs) buffer layers for application of large scale IR focal plane arrays(IFPAs). Buffer layers were grown by molecular beam epitaxy(MBE), which reduced the lattice mismatch of CdTe/Si and prevented native oxide on Si substrates. CdTe thin films were grown by metal organic chemical deposition system(MOCVD). As a result, polycrystalline CdTe films were grown on Si(100) and arsenic coated-Si(100) substrate. In other case, single crystalline CdTe(400) thin film was grown on GaAs coated–Si(100) substrate. Moreover, we observed hillock structure and mirror like surface on the (400) orientated epitaxial CdTe thin film.
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David J. Smith / 1993 / Growth and characterization of CdTe:Si heterostructures - effect of substrate orientation / Mater. Sci. Eng. B 77 : 93 ~
H. Tatsuoka / 1993 / CdTe(111) growth on misoriented Si(100) substrates by hot-wall epitaxy / J. Cryst. Growth 129 : 686 ~
K. Shigenaka / 1996 / Orientation dependence of HgCdTe epitaxial layers grown by MOCVD on Si substrates / J. Electron. Mater 25 : 1347 ~
M. Niraula / 2005 / Development of nuclear radiation detectors based on epitaxially grown thick CdTe layers on n-GaAs substrates / J. Electron. Mater 34 : 815 ~
R. Ashokan / 2000 / Variable area MWIR diodes on HgCdTe/Si grown by molecular beam epitaxy / J. Electron. Mater 29 : 636 ~
H. Tatsuoka / 1993 / CdTe(111) growth on misoriented Si(100) substrates by hot-wall epitaxy / J. Cryst. Growth 129 : 686 ~
K. Shigenaka / 1996 / Orientation dependence of HgCdTe epitaxial layers grown by MOCVD on Si substrates / J. Electron. Mater 25 : 1347 ~
M. Niraula / 2005 / Development of nuclear radiation detectors based on epitaxially grown thick CdTe layers on n-GaAs substrates / J. Electron. Mater 34 : 815 ~
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