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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, J.H. (Department of Materials Engineering, Sung Kyun Kwan University) Kim, H.S. Cho, Y.A. Oho, G.H. Shin, S.H. Park, K.J. Yeom, G.Y.
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호
발행연도
1995.1
수록면
869 - 874 (6page)

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Common methods for ohmic contact to p-CdTe are to form a p$^{+}$ region under the contact by in-diffusion of contact material to reduce the barrier height and to modify a p-CdTe surface layer using chemical treatment. In this study, the surface chemical treatment of p-CdTe was carried out by $H_3$P$O_4$+HN$O_3$ or $K_2$C${r_2}{O_7}$+$H_2$S$O_4$ solution to provide a Te-rich surface. And various thin film contact materials such as Cu, Au, Ni, and Cu/Au were deposited by E-beam evaporation to form ohmic contact to p-CdTe. After the metallization, post annealing was performed by oven heat treatment at 15$0^{\circ}C$ or by RTA(Rapid Thermal Annealing) at 250-35$0^{\circ}C$. Surface chemical treatments of p-CdTe thin film improved metal/p-CdTe interface properties and post heat treatment resulted in low contact resistivity to p-CdTeTe

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