초격자 Buffer를 사용한 InGaN/GaN 양자우물에서 Piezoelectric 효과의 측정과 Strain 감소에 대한 연구

공경식; 안주인; 이석주

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자료유형: 학술저널

저자정보: 공경식 안주인 이석주

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제6호

발행연도: 2008.1

수록면: 503 - 508 (6page)

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In order to reduce the piezoelectric field originated from the well layer which resides in InGaN/GaN light emitting diode, InGaN/GaN superlattice buffer layers were grown at the bottom and the top of the active layer. Measuring the photoluminescence spectra with different reverse bias voltages clearly revealed the condition of the flat band under which the transition energy is maximized and the linewidth is minimized. Accordingly, the piezoelectric field of In0.15Ga0.85N in our sample was estimated as -1.08 MV/cm. It is less than half the value reported in the previous studies, and it is evidenced that the strain has reduced due to the superlattice buffer layers.

#InGaN #Piezoelectric field #Quantum well #Flat band #Reduction of strain

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C.J. Humphreys / 2007 / Does In form In-rich clusters in InGaN quantum wells? / Philosophical Magazine 87 (13) : 1971 ~

C.Y. Lai / 2002 / Direct measurement of piezoelectric field in In0.23Ga0.77N/GaN multiple quantum wells by electrotransmission spectroscopy / J. Appl. Phys 91 (1) : 531 ~

H. Masui / 2006 / Electro- luminescent and electrical characteristics of polar and nonpolar InGaN/GaN light- emitting diodes at low temperature / Jpn. J. Appl. Phys 45 (10A)

H. Miyake / 2002 / High quality GaN grown by facet-controlled ELO (FACELO) technique / Phys. Stat. Solidi A 194 (2) : 545 ~

I.H. Brown / 2005 / Determination of the piezoelectric field in InGaN quantum wells / Appl. Phys. Lett 86 : 131108 ~

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