비 중심 Si δ-doping 층을 갖는 GaAs-AlxGa1-x 양자우물에서전계에 따른 전자 분포

최준영; 전상국

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최준영 전상국

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제1호

발행연도: 2007.1

수록면: 14 - 18 (5page)

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The electric property in the / quantum well with the Si -doped layer in a non-central position is studied through the effect of the electric field intensity on the electron distribution. The finite difference method is used for the calculation of the subband energy level and its wavefunction. In order to account for the change of the potential energy due to the charged particles, the self consistent method is employed. As the Si -doped layer becomes closer to the heterojunction interface, the electrons less affected by Coulomb scattering are greatly increased under the external electric field. Therefore, the high speed device is suggested due to the fact that the high mobility electrons can be increased by positioning the -doped layer in the quantum well and by applying the electric field intensity.

#-doping #Finite difference method #Probability density #Mobility

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E. Ozturk / 2003 / The effect of the donor distribution on the electronic structure of two coupled Si - doped layers in GaAs / Physica B 334 : 1 ~

E. Ozturk / 2005 / The triple Si -doped GaAs structure / Appl. Phys. A 80 : 167 ~

G. Gillman / 1988 / Experimental and theoretical mobility of electrons in -doped GaAs / Appl. Phys. Lett. 52 : 972 ~

J. Osvald / 2004 / Self-consistent analysis of Si - doped layer placed in a non-central position in GaAs structure / Physica E 23 : 147 ~

P. M. Koenradd / 1993 / Subband population and electron subband mobility for two interacting Si-- doping layers in GaAs / Physica B 184 : 221 ~

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최준영

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