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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 1,022 - 1,026 (5page)
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We have demonstrated new functionalities of Ag doped chalcogenide glasses based on their capabilities as solid electrolytes. Formation of such amorphous systems by the introduction of silver via photo-induced diffusion in thin chalcogenide films is considered. The influence of silver on the properties of the newly formed materials is regarded in terms of diffusion kinetics and Ag saturation is related to the composition of the hosting material. Silver saturated chalcogenide glasses have been used in the formation of solid electrolyte which is the active medium in programmable metallization cell (PMC) devices. In this paper, we investigated electrical and optical properties of Ag-doped chalcogenide thin film on changed thickness of Ag and chalcogenide thin films, which is concerned at Ag-doping effect of PMC cell. As a result, when thickness of Ag and chalcogenide thin film was 30 nm and 50 nm respectively, device have excellent characteristics.
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A. Pradel / 1998 / Ion dynamics in superionic chalcogenide glasses studied in large frequency and temperature ranges / Solid State Ion. 105 : 139 ~
G. Muller / 2004 / Status and outlook of emerging nonvolatile memory technologies / IEDM Technical Digest 567
J. Hajto / 1991 / Interference grating fabrication in spin-coated As2S3 films / Thin Solid Films 200 : 229 ~
M. N. Kozicki / 1991 / Pass - a chalcogenide-based lithography scheme for I.C. fabrication / J. Non- Cryst. Solids 137&138 : 1341 ~
M. N. Kozicki / 2004 / Non-volatile memory based on solid electrolytes / Proceedings of the 2004 Non-Volatile Memory Technology Symposium : 10 ~
G. Muller / 2004 / Status and outlook of emerging nonvolatile memory technologies / IEDM Technical Digest 567
J. Hajto / 1991 / Interference grating fabrication in spin-coated As2S3 films / Thin Solid Films 200 : 229 ~
M. N. Kozicki / 1991 / Pass - a chalcogenide-based lithography scheme for I.C. fabrication / J. Non- Cryst. Solids 137&138 : 1341 ~
M. N. Kozicki / 2004 / Non-volatile memory based on solid electrolytes / Proceedings of the 2004 Non-Volatile Memory Technology Symposium : 10 ~
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