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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제2호
발행연도
2008.1
수록면
111 - 117 (7page)

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We have studied surface roughness, contamination of impurity, bonding with some gas element, reflectance and zeta potential on masks to be generated or changed during photolithography/dry or wet etching process. Mask surface roughness was not changed after photolithography/dry etching process. But surface roughness was changed on some area under MoSi film of Cr/MoSi/Qz. There was not detected any impurity on mask surface after plasma dry etching process. Reflectance of mask was increased after variable plasma etching treatment, especially when mask was treated with plasma including O₂ gas. Blank mask was positively charged when the mask was treated with Cr plasma etching gas(Cl₂:250 sccm/He:20 sccm/O₂:29 sccm, source power:100 W/bias power:20 W, 300 sec). But this positive charge was changed to negative charge when the mask was treated with CF₄ gas for MoSi plasma etching, resulting better wet cleaning. There was appeared with negative charge on MoSi/Qz mask treated with Cr plasma etching process condition, and this mask was measured with more negative after SC-1 wet cleaning process, resulting better wet cleaning. This mask was charged with positive after treatment with O₂ plasma again, resulting bad wet cleaning condition.
#Mask #Plasma etching #Surface roughness #Contamination #MoSi film #Wet cleaning #Zeta potential

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참고문헌 (7)

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B.J Grenon / 2000 / Tracking down cause of DUV sub-pellicle defects / Solid State Technology : 45 ~ google schola C.J. Cramer / 2004 / Essentials of computational chemistry / John wiley & Sons inc. google schola K. Bhattacharyya / 2002 / Investigation of reticule defect formation at DUV lithography / Proceedings of SPIE, 22nd Annual BACUS Symposium on Photomask Technology : 478 ~ google schola M.D. Levenson / 1982 / Improving resolution in photolithography with a phase-shifting mask / IEEE Trans. Electron. Devices ED-29 google schola R. Novak / 2004 / Today’s binary and EAPSMs need advanced mask cleaning methods / Solid State Technology : 55 ~ google schola

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