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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제3권 제1호
발행연도
2002.1
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ITO thin films with thickness of 3000 Å were fabricated by rf magnetron sputtering system with a 10 mol % SnO2 - 90 mol % In2O3 target at various substrate temperature and annealing temperature in air. And we investigated structural, electrical and optical characteristics of them. It's resistivity, carrier concentration and Hall mobility was 2×10-4 Wcm, 7×1020∼9×1020 cm-3 and 21∼23 cm2/V·sec respectively. And it's optical transmittance and energy band gap was above 85 % in the visible range and 3.53 eV respectively.
#Indium Tin Oxide #ITO) #Transparent conducting oxide #TCO) #RF magnetron sputtering #Electrical resistivity #Optical transmittance

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