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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 683 - 689 (7page)
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N+ 도핑을 위해서, 안티몬 이온은 BJT, CMOS FET와 BiCMOS 집적공정에 주로 이용이 된다. 안티몬은 무거운 이온이기에 실리콘에서 상대적으로 낮은 확산계수를 가지고 있다. 그러므로 안티몬은 비소 이온주입 대신에 n 타입 도핑으로서 매우 얕은 접합에 적합하다. 10∼50 keV의 에너지와 서로 다른 입사각도로 안티몬을 비정질과 단결정 실리콘에 이온 주입하였다. 동일한 치수의 조건에서 안티몬의 3차원적인 농도 분포 결과들을 비교하여 나타내었고, 자세히 설명하였다. 안티몬의 확산효과는 열적인 산화과정 후에 ORD를 나타내었다. SiO2/Si의 경계효과는 안티몬 확산에 영향을 주었고, 산화 과정 동안에 분리효과를 나타내었다. 안티몬의 표면 스퍼트링 효과는 높은 주입량과 낮은 에너지 조건들에서 무거운 질량 때문에 고려되어져야만 한다. 비정질과 단결정 실리콘에 주입된 안티몬의 수직 및 측면방향으로의 이온분포 및 사정거리를 서로 비교하였다. 또한 이 데이터를 이용하여 불활성 N2 가스와 건식산화 조건에서 급속 열처리(RTA)와 노 열처리 실행 후에 안티몬의 농도 분포를 나타내고 설명하였다.
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