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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제12호
발행연도
2016.1
수록면
750 - 758 (9page)

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CMOS에서 retrograde well형성과 얕은 접합의 채널도핑을 위해서 인듐이 이온 주입될 수 있다. retrograde well 도핑프로파일은 깊은 MOS 소자에서 펀치스루를 억압하기 위해서 채널도핑기술이 필요하다. 인듐은 B, BF2 와 Ga 이온들보다 더 무거운 원소이고 또한 높은 온도에서 낮은 확산계수를 가지고 있다. 인듐이온은 이온 주입동안에 스퍼터링에 따른 웨이퍼표면의 부식을 야기할 수 있다. 매우 얕은 접합에 대해서, 인듐이온은 실리콘에 p 타입 도핑을 위해서 주입될 수 있다. Monte carlo 이온주입모델인 UT-MARLOWE 와 SRIM은 단결정과 비정질 실리콘으로 이온주입을 위해서 개발되어져 왔다. 발췌된 시뮬레이션 데이터로부터 해석적인 방법이 열처리공정을 위해서 실행될 수 있다. 일차원 및 이차원 확산프로파일을 위해서, 해석적인 방법으로 C++ 코드를 사용하여 시뮬레이션프로그램을 개발하였다. 그것은 주입되고 열처리된 실리콘에 대해서 독자적으로 인듐프로파일을 시뮬레이션 하기위해서 매우 유용하다. 기본적인 이온주입의 이온-고체 상호작용과 스퍼터링 효과가 다루어졌고 SRIM과 T-dyn 프로그램을 사용하여 설명되어졌다. 인듐도핑 프로파일의 정확한 제어는 직접회로의 제작공정에서 극도로 얕은 접합을 위한 미래기술로써 제안될 수 있다.
#Indium ion implantation #Sputtering #Annealing #Computer simulation

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T. Noda / 2003 / J. of Appl. Phys 93:1428 Crossref S. Scalese / 2003 / J. Appl. Phys 93:9773 Crossref P. Chena / 2004 / Mat. Sci. Eng. B 114:251 Crossref J. F. Ziegler / 1985 / Nucl. Inst. Phys. Res B6:270 Crossref J. P. Biersack / 1988 / Nucl. Inst. Phys. Res B35:205 Crossref

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