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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제5호
발행연도
2004.1
수록면
180 - 184 (5page)

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This paper proposes a novel methodology of systematic global calibration and validates its accuracy and efficiency with application to memory and logic devices. With 175 SIMS profiles which cover the range of conditions of implant and diffusion processes in the fabrication lines, the dominant diffusion phenomenon in each process temperature region has been determined. Using the dual-pearson implant model and fully-coupled diffusion model, the calibration was performed systematically. We applied the globally calibrated process simulator parameters to memory and logic devices to predict the optimum process conditions for target device characteristics.
#Process simulation #Calibration #Implantation #Diffusion #Silicidation

목차

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참고문헌 (13)

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/ 1994. / Reverse short-channel effect due to lateral diffusion of point-defect induced by source/drain ion implantation IEEE Trans. on CAD 134 : 507 ~ google schola / 1997. / A novel TCAD database system with efficient handling capability on measured and simulated data : 265 ~ google schola / 1997. / Systematic calibration of process simulators for predictive TCAD : 273 ~ google schola / 1999. / A calibrated model for trap-ping of implanted dopants at material interface during thermal annealing : 509 ~ 99 google schola / 1999. / Fundamental diffusion issues for deep-submicron device processing : 333 ~ 99 google schola

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