Control of Short-Channel Effects in Nano DG MOSFET Using Gaussian-Channel Doping Profile

Morteza Charmi

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자료유형: 학술저널

저자정보: Morteza Charmi

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제5호

발행연도: 2016.1

수록면: 270 - 274 (5page)

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This article investigates the use of the Gaussian-channel doping profile for the control of the short-channel effectsin the double-gate MOSFET whereby a two-dimensional (2D) quantum simulation was used. The simulations werecompleted through a self-consistent solving of the 2D Poisson equation and the Schrodinger equation within thenon-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism. The impacts of the p-type-channel Gaussian-doping profileparameters such as the peak doping concentration and the straggle parameter were studied in terms of the draincurrent, on-current, off-current, sub-threshold swing (SS), and drain-induced barrier lowering (DIBL). The simulationresults show that the short-channel effects were improved in correspondence with incremental changes of the straggleparameter and the peak doping concentration.

#Short-channel effects #Non-equilibrium Green's function #Gaussian-channel doping profile #Straggle parameter

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Ali A. Orouji / 2012 / Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs / Materials Science in Semiconductor Processing 15(5):572~577

Morteza Charmi / 2013 / Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation / Materials Science in Semiconductor Processing 16(2):311~317

Feng Liu / 2008 / A Non-Charge-Sheet Analytic Model for Symmetric Double-Gate MOSFETs With Smooth Transition Between Partially and Fully Depleted Operation Modes / IEEE Transactions on Electron Devices 55(12):3494~3502

Mincheol Shin / 2007 / Quantum Simulation of Device Characteristics of Silicon Nanowire FETs / IEEE Transactions On Nanotechnology 6(2):230~237

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