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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제4호
발행연도
2016.1
수록면
241 - 246 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2016

산화 아연 박막의 화학 기상 증착 시 자외광 인가의 효과
김보석 전기전자제어공 2016.01 학위논문
증착 중 자외광 노광에 의한 산화 아연 박막의 특성 변화
김보석 ,  백승재 전기전자재료학회논문지 2016.01 학술저널

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화학기상증착법을 이용한 산화아연 박막의 특성이 증착 중 자외광 노광에 의해 받는 영향에 대해 실험 연구하였다. 자외광 조사 시 증착 중 표면의 산화아연이 환원되는 반응에 의해 증착 속도가 감소하고 표면 거칠기가 증가 한다. 거칠기 증가는 무극성 결정면인 (100) 과 (101) 면의 증가를 촉진하고, 이에 따라 평균적인 결정립의 크기도 증가한다. 또한 증착 중 환원 반응으로 박막 내 산소의 함량이 감소하는 것으로 판단되며, 이에 의한 산소 공공 (vacancy) 의 증가 영향으로 근적외선 영역의 광 투과도 감소 및 비저항 감소 효과가 뚜렷이 나타난다. 화학기상증착법은 저온에서 다양한 표면 형상을 가지는 산화아연 박막을 얻는 데 적합한 방법이다. 더욱이 증착 중 자외광 노광을 이용하여 표면 형상과 박막의 광학적, 전기적 특성을 더욱 넓은 범위에서 제어할 수 있다. 최근 넓게 검토되고 있는 유연기판소재를 이용한 다양한 응용과 나노소재 개발 분야에 있어 자외광 적용 화학기상증착법은 유용한 기술로 사용될 수 있을 것이다.
#Chemical vapor deposition #ZnO #Ultraviolet

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A. Dev / 2011 / IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics 17:896 Crossref F. S. Hickernell / 1976 / Proc. IEEE 64:631 Crossref P. K. Samanta / 2011 / Materials Today 14:295 Crossref N. F. Foster / 1966 / Appl. Phys Lett 8:221 Crossref O. Kluth / 1999 / Thin Solid Films 351:247 Crossref

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