메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제10호
발행연도
2015.1
수록면
665 - 669 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

이 논문의 연구 히스토리 (2)

초록· 키워드

오류제보하기
우리는 boron rich layer (BRL)을 제거하기 위해서 in-situ oxidation과 chemical etching treatment (CET)의 두 가지 방법을 비교하였다. BRL은 일반적으로 보론 도핑 공정에서 생성된다. BRL은 소수전하수명 등 전기적 특성을 저하시키지 않게 조절해야만 한다. 보론 에미터는 930℃에서 액체 BBr3를 사용하여 형성하였다. 그리고 난 후, 온도를 감소하는 구간에서 1,000 sccm의 O2를 주입하는 in-situ oxidation 방법과 HF, HNO3, CH3COOH를 혼합한 산 용액을 사용하여 짧은 시간동안 식각하는 CET 방법을 비교하였다. 그리고 Al2O3를 증착하여 패시베이션 효과를 확인하였다. in-situ oxidation 방법에서 전하수명과 개방전압이 각각 110.9 ㎲, 635 mV, 그리고 CET 방법에서는 각각 188.5 ㎲, 650 mV의 결과를 얻었다. 결과적으로 CET가 BRL이 더 균일하게 제거되기 때문에 in-situ oxidation에 비해 좋은 특성을 보였다.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (11)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0