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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제5호
발행연도
2015.1
수록면
291 - 294 (4page)

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ZnO 기반의 박막 트랜지스터는 유연, 투명 디스플레이 소자로서 폭넓게 연구되고 있다. 특히 OLED 디스플레이 구동 소자로 적용하기 위해서는 전기적 성능과 안정성이 중요한 이슈로 주목받고 있다. 본 연구에서는 ZnO 박막 트랜지스터의 전기적 성질을 개선하기 위하여 ALD (atomic layer deposition)를 이용해 ZnO 채널과 게이트 절연체 사이에 AZO (Al doped zinc oxide) 층을 삽입한 AZO/ZnO 적층 채널 구조의 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 소자는 I-V 전달 특성과 게이트 양전압 인가 후의 문턱전압 변화를 측정하였다. 또한 채널층의 결함밀도를 분석하기 위해 photoluminescence spectrum도 분석하였다. AZO/ZnO 적층 채널구조의 박막트랜지스터는 ZnO 채널 박막 트랜지스터에 비해 더 낮은 문턱전압과 개선된 subthreshold slope을 보였고 게이트 양전압 인가 시 문턱전압 변화량도 감소하였다. 이러한 개선은 AZO/ZnO 적층 채널 내부의 결함밀도의 감소의 결과로 생각할 수 있으며, photoluminescence spectrum 결과에서 deep level emission에 영향을 주는 결함의 감소를 확인하였다.
#TFT #ZnO #AZO #Stability

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A. Janotti / 2009 / / Rep. Prog. Phys 72 : 126501 ~ google schola C. H. Ahn / 2009 / / J. Appl. Phys. 105 : 013502 ~ google schola D. J. Lee / 2011 / / Adv. Func. Mater 21 : 448 ~ google schola J. G. Lu / 2006 / / J. Appl. Phys 100 : 073714 ~ google schola J. S. Park / 2012 / / Thin Solid Films 520 : 1679 ~ google schola

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