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정준교 (충남대학교) 윤호진 (충남대학교) 양승동 (충남대학교) 박정현 (충남대학교) 김효진 (충남대학교) 이가원 (충남대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제4호
발행연도
2017.4
수록면
229 - 234 (6page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.4.229

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본 연구에서는 수열합성법으로 성장한 ZnO 나노로드를 이용하여 TFT 가스 센서를 제작하였다. 제안된 소자는 가스 반응 특성 및 전기적 전달 특성을 기존의 ZnO 박막형 TFT와 비교하였다. ZnO seed layer는 원자층증착법 (ALD)에 의해 증착했고, 나노로드 형성을 위한 전구체로 Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2·6H2O) 및 Hexamethylenetetramine ((CH2) 6N4)을 사용했다. 150 ℃의 가스 챔버 내에서 15ppm의 NO 가스를 공급하여 반응 특성을 분석한 결과, 민감도 (S)는 4.5였으며, 나노로드 타입 소자가 외부 환경에 민감하게 반응하는 것을 확인했다. 이러한 결과는 X선 광전자 분광법 (XPS) 분석을 통해 ZnO 나노로드의 산소 결핍이 ZnO 박막의 산소 결핍보다 높다는 것으로 설명 할 수 있으며 ZnO 나노로드형 TFT가 저비용 및 고성능 가스 센서 제작에 유리하다는 것을 확인했다.

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