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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
164 - 168 (5page)

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Piezoelectric ZnO thin films were for the first time formed on SiO2/Si(100) substrate using 2-step deposition, atomic layer deposition(ALD) and RF magnetron sputtering deposition, for film bulk acoustic resonator(FBAR) applications. The ZnO buffer layer by ALD was deposited using alternating diethyl zinc(DEZn)/H2O exposures and ultrahigh purity argon gas for purging. The ZnO films by 2-step deposition revealed stronger c-axis-preferred orientation and smoother surface than those by the conventional RF sputtering method. The solidly mounted resonator(SMR)-typed FBAR fabricated by using 2-step deposition method revealed higher quality factor of 580 and lower return loss of -17.35 dB. Therefore the 2-step deposition method in this study could be applied to the FBAR device fabrication.
#ZnO #2-step deposition #Film bulk acoustic resonator #FBAR) #Atomic layer deposition #ALD) #RF magnetron sputtering

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참고문헌 (4)

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/ 1980 / “The effect of O2 on reactively sputtered zinc oxide” google schola / 1997 / “Effects of oblique sputtering on micro- structrual modification of ZnO thin films” : 11 ~ 94 google schola / 1999 / “Atomic lay- ercontrolled growth of transparent conducti- ng ZnO on plastic substrates” google schola / 2003 / “Atomic layer deposited prote- ctive coatings for micro-electromechanical s- ystems” : 1 ~ 2 google schola

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