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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 996 - 1,000 (5page)
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Experimental results are presented for the degradation of 3 nm-thick gate oxide (SiO2) under both Negative-bias Temperature Instability (NBTI) and Hot-carrier-induced (HCI) stresses using P and NMOSFETs, The devices are annealed with hydrogen or deuterium gas at high-pressure (1～5 atm.) to introduce higher concentration in the gate oxide. Both interface trap and oxide bulk trap are found to dominate the reliability of gate oxide during electrical stress. The degradation mechanism depends on the condition of electrical stress that could change the location of damage area in the gate oxide. It was found the trap generation in the gate oxide film is mainly related to the breakage of Si-H bonds in the interface or the bulk area. We suggest that deuterium bonds in SiO2 film are effective in suppressing the generation of traps related to the energetic hot carriers.
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/ 1977. / Negative bias stress of MOS devices at high electric fields and degradation of MNOS devices 48 (5) : 2004 ~
/ 1989. / Effect of interface traps and bulk traps in SiO2 on hot-carrier-induced degradation : 103 ~
/ 1995. / Mechanism for stress-induced leakage currents in thin silicon dioxide films 78 (6) : 3883 ~
/ 1998. / Giant isotope effect in hot electron degradation of metal oxide silicon devices 45 (2) : 406 ~
/ 1999. / Bias temperatre instability in scaled p+ polysilicon gate p-MOSFETs 46 (5) : 921 ~
/ 1989. / Effect of interface traps and bulk traps in SiO2 on hot-carrier-induced degradation : 103 ~
/ 1995. / Mechanism for stress-induced leakage currents in thin silicon dioxide films 78 (6) : 3883 ~
/ 1998. / Giant isotope effect in hot electron degradation of metal oxide silicon devices 45 (2) : 406 ~
/ 1999. / Bias temperatre instability in scaled p+ polysilicon gate p-MOSFETs 46 (5) : 921 ~
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