Effect of Silicon Wafer Surface Orientation on Gate Oxide Degradation during Constant Current Fowler-Nordheim Stress at Low Electron Fluence

Piyas Samanta ,  C. K. Sa ,  ka

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Fowler-Nordheim 터널링 전자주입에 의한 질화 게이트 산화막의 특성 분석 ( Characterization of Nitrided Gate Oxides by Fowler-Nordheim Tunneling Eletron Injection )

장성수 ,  문성근 ,  노관종 외 2명

전자공학회논문지-D

1998 .07

A Simulation of Fowler-Nordheim Tunneling Current with Trapped Charge in Thin Gate MOS Structures

吳石柱

전기학회논문지

1989 .03

박막 MOS 구조내의 깊은 공핍층 Mode에 의한 Fowler-Nordheim 1-Vg and C-V 특성 ( Fowler-Nordheim I-Vg and C-V Characteristics Due to Deep Depletion Mode in Thin Gate-Oxide MOS Structures )

오석주

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석

이현슬 ,  유성원 ,  서영수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Gate 전하를 감소시키기 위해 Separate Gate Technique을 이용한 Trench Power MOSFET

조두형 ,  김광수

전기전자학회논문지

2012 .12

MOSFET에서 Gate Oxide층의 교류 절연파괴 특성

박정구 ,  송정우 ,  고시현 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

박막 게이트 산화막을 갖는 n-MOSFET에서 SILC 및 Soft Breakdown 열화동안 나타나는 결함 생성

이재성

전자공학회논문지-SD

2004 .08

An Analytical Model for the Effect of Graded Gate Oxide in MOSFET`s

김종식 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Hot Carrier Effect of n-MOSFET with Ultrathin Oxides Grown by High Pressure Oxidation and Nitrided in N2O

Tae Moon Roh ,  Dae Woo Lee ,  Jong Dae Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

PRECISE SIMULATION OF THE GATE CHARGE IN POWER MOSFET

Baoxia zhou ,  Zhiming Chen ,  Shoujue Wang

ICPE(ISPE)논문집

1995 .10

박막 게이트 산화막의 열화에 의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화

이재성 ,  이원규

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

New breakdown mechanism of ultrathin gate oxides under ballistic transport

이석희 ,  주문식 ,  조병진 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

수소 및 중수소가 포함된 실리콘 산화막의전기적 스트레스에 의한 열화특성

이재성 ,  백종무 ,  이용현 외 2명

전기전자재료학회논문지

2005 .01

Characteristics of Trap in the Thin Silicon Oxides with Nano Structure

C.S.Kang

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2003 .01

N-and P-MOSFETs woth CVD and Thermal Gate Oxides : Comparison of Performance and Reliability

Ahn ,  Jin-ho ,  Kwong 외 1명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

SANOS 메모라 셀 트랜지스터의 다른 Charge Trapping layer에 따른 전기적 특성 및 신뢰성 분석

박성수 ,  주한수 ,  최원호 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2007 .07

Mechanism of Bias Stress Induced Charge Trapping at Polymer Gate-Dielectric in Organic Transistors

최현호 ,  조길원

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2012 .04

산화막 및 재산화질화산화막을 적용한 MOSFET의 성능저하 특성 ( Degradation of A MOSFET to Apply Oxide and Reoxidized-Nirided-Oxide to A Gate Dielectric )

노태문 ,  이경수 ,  남기수

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Bias-Stress-Induced Charge Trapping in Organic Transistors

조길원

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2012 .10