스퍼터링법을 이용한 OLED용 Al 음전극 제작

금민종; 김경환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 금민종 김경환

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제8호

발행연도: 2005.1

수록면: 729 - 733 (5page)

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2005

OLED용 Al 음전극 제작 및 I-V 특성

금민종 , 권경환 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2005.01 학술대회자료

스퍼터링법을 이용한 OLED용 Al 음전극 제작

금민종 , 김경환 전기전자재료학회논문지 2005.01 학술저널

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Al electrode for OLED was deposited by FTS (Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar or Ar+Kr mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr). The film thickness and I-V curve of Al/cell were measured and evaluated. In the results, when Al thin films were deposited using pure Ar gas, the turn-on voltage of Al/cell was about 11 V. And using the Ar:Kr(75 % : 25 %) mixed gas, the turn-on voltage of Al/cell decreased to about 7 V.

#OLED #Al cathode #FTS

참고문헌 (10)

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/ 1963. / Electroluminescence in organic crystals 38 (8) : 2042 ~

/ 1970. / Vacuum Evaporation 1 : 1 ~

/ 1987. / Organic electroluminescent diodes : 12 913 ~

/ 1996. / ITO films prepared by facing target sputtering system 281-282 (12) : 194 ~

/ 1997. / Polymer ligh-emitting diodes with polyethylene dioxythiophene-polystyren e sulfonate as the transparent anode 87 (2) : 171 ~

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금민종

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 8 이용수 25

김경환

소속기관 가천대학교

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