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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제6호
발행연도
2016.1
수록면
376 - 379 (4page)

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이 논문은 이종접합태양의 p-type a-SiC:H 막의 카바이드 함량의 변화에 따른 소자의 광학적, 전기적인 특성을 분석한 것이다. p-type a-SiC:H막의 카바이드 함량이 증가함에 따라 밴드갭이 증가하게 되고, 광 흡수도가 감소하여 단락전류가 증가하게 된다. 또한 Built in potential이 증가하여 개방전압이 증가한다. 일정 밴드갭 이상에서는 밴드오프셋 및 전기전도도 감소에 의해 개방 전압이 감소하고 곡선인자의 하락이 야기된다. p-type a-SiC:H 막 최적화에 따른 단락전류 1 mA/cm2 상승 및 개방전압 30 mV 증가로 인하여 단락전류 36.35 mA/cm2 개방전압 710 mV을 달성하였다.
#Heterojunction solar cell #Wide bandgap #Carbide #Conductivity #Absorption

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M. Taguchi / 2014 / IEEE J. Photovolt. 4:96 Crossref Z. C. Holman / 2012 / IEEE J. Photovolt. 2:7 Crossref D. Zhang / 2014 / IEEE J. Photovolt 4:1326 Crossref H. Fujiwara / 2007 / Appl. Phys. Lett 91:133508 Crossref M. W. M. van Cleef / 1997 / J. Appl. Phys. 82:6089 Crossref

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