Solution-Derived Hafnium Lanthanum Oxide Films Prepared Using Ion-Beam Irradiation and Their Applications as Alignment Layers for Twisted-Nematic Liquid Crystal Displays

Byeong-Yun Oh

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자료유형: 학술저널

저자정보: Byeong-Yun Oh

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제6호

발행연도: 2016.1

수록면: 355 - 358 (4page)

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We present the alignment characteristics of LC (liquid crystal) molecules on solution-derived HLO (hafniumlanthanum oxide) films fabricated using IB (ion-beam) irradiation. We then demonstrated that LC molecules can behomogeneously and uniformly aligned on the HLO film irradiated at an IB incident energy of 1.2 keV. Physicochemicalanalysis methods such as atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to verify theLC alignment mechanism on the IB-irradiated HLO film. In addition, the electro-optical performance of a TN(twisted-nematic) cell fabricated using the IB-irradiated HLO film exhibited characteristics superior to those of theconventional TN cell fabricated using a rubbed polyimide layer.

#Liquid crystal alignment layer #Solution process #Hafnium lanthanum oxide #Ion-beam irradiation #Electro-optical properties

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Haiying Wang / 2004 / Correlations between liquid crystal director reorientation and optical response time of a homeotropic cell / Journal of Applied Physics 95(10):5502~5508

Byeong-Yun Oh / 2008 / Surface reformation and electro-optical characteristics of liquid crystal alignment layers using ion beam irradiation / Journal of Applied Physics 104(6):064502

Byeong-Yun Oh / 2016 / Solution-Derived Amorphous Yttrium Gallium Oxide Thin Films for Liquid Crystal Alignment Layers / Transactions on Electrical and Electronic Materials 17(2):109~112

Young Jin Kim / 2000 / Effect of multidirection rubbing on the alignment of nematic liquid crystal / Applied Physics Letters 77(4):513~515

한정민 / 2010 / Materials Stabilized Liquid Crystal Molecules on Chemically Modulated Polystyrene Surface Using Various Ion Beam Exposure Time / Transactions on Electrical and Electronic Materials 11(6):285~287

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