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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제2호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 51 - 56 (6page)
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Ferroelectric Bi3.35Sm0.65Ti3O12(BSmT) thin films were synthesized using a sol-gel process. Bi(TMHD)3, Sm5(OiPr)13, Ti(OiPr)4 were used as the precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. The BSmT thin films were deposited on Pt/TiOx/SiO2/Si substrates by spin-coating. The electrical properties of the thin films were enhanced using rapid thermal annealing process (RTA) at 600 oC for 1 min in O2. Thereafter, the thin films were annealed from 600 to 720 oC in oxygen ambient for 1 hr, which was followed by post-annealed for 1 hr after depositing a Pt electrode to enhance the electrical properties. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to analyze the crystallinity and surface morphology of layered perovskite phase, respectively. The remanent polarization value of the BSmT thin films annealed at 720 oC after the RTA treatment was 35.31 μC/cm2 at an applied voltage of 5 V.
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/ 1995. / Fatigue-free ferro-electric capacitors with platinum electrode 374 : 627 ~
/ 1999. / Lanthanum-substituted bismuth titanate for use in non-volatile memories 401 : 682 ~
/ 2001. / Fatigue-free samarium-modified bismuth titanate Bi4-xSmxTi3O12 film capacitors having large spon-taneous polarizations 79 : 3137 ~
/ 2001. / Film thickness dependence of ferro-electric properties of c-axis-oriented epitaxial Bi4Ti3O12 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition Journal
/ 2001. / Processing- and composition-dependent characteri-stics of chemical solution deposited Bi4-xLaxTi3O12 thin films Journal of Materials Research 16 : 1325 ~
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