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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제1호
발행연도
1996.3
수록면
25 - 32 (8page)

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탄성되튐-비행시간 측정법에 의하여 박막 중 수천 Å 내의 탄소, 질소, 산소 등 경원소의 깊이방향 농도를 비파괴 측정할 수 있는 씨스템을 제작하였다. 입사입자로는 10 MeV의 ^(35)Cl을 사용하였으며, 입사입자에 의 하여 되튀는 시료내 입자의 비행시간 및 운동에너지는 MCP(Micro Channel Plate)와 SSB(Silicon Surface Barrier) 검출기로 구성된 비행시간 측정기에 의하여 측정하였다. 한 사건에 대한 두개의 동시정보를 기록하기 위하여 2대의 PC를 이용한 2변수 데이터 처리 시스템을 제작하였으며 2차원 display 프로그램을 제작하였다. Si₃N₄/poly-Si/SiO₂/Si 표준박막을 시험분석하였으며 결과를 RBS 분석결과와 비교하였다. 이 시스템에 의한 경원소의 검출 한계는 실리콘매질에서 대략 4×10^(14) atom/㎠, 검출가능깊이는 약 5,000Å, 깊이분해능은 100Å이다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Kinematics and Cross Sections

3. The ERD - TOF Spectrometer

4. Test Experiment

5. Conclusion

Acknowledgement

References

참고문헌 (0)

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