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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1994.9
- 수록면
- 264 - 268 (5page)
이용수
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1993
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본 연구에서는 HCl 또는 NH₄OH로 산화막을 식각한 GaAs 표면에 H₂S 가스를 이용하여 유황처리하였다. 표면의 화학적 조성 및 결합상태를 측정하기 위하여 AES(Auger electron spectroscopy) 및 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)를 사용하였다. 시편들은 30, 200 및 350℃로 가열하면서 H₂S 가스와 반응시켰다. 이때 유황은 GaAs 표면의 Ga 원자 및 As 원자와 화학결합을 형성하고 있음이 밝혀졌다. 또한 350℃로 가열된 시편이 30℃ 또는 200℃로 가열된 시편보다 표면에 결합된 유황의 양이 많은 것으로 나타났다. 아울러 (NH₄)₂S 수용액 또는 Na₂S 수용액으로 유황처리된 경우와 동일하게 H₂S 가스로 유황처리된 GaAs 표면에서는 Ga 산화막 및 As 산화막이 거의 관측되지 않았다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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