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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제1호
발행연도
1998.2
수록면
11 - 16 (6page)

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본 연구에서는 GaAs의 selenium 보호막형성 효과를 관찰하기 위하여 Na₂Se/NH₄OH 용액을 제조하고 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)와 photoluminescence(PL) 를 이용하여 표면처리된 GaAs의 처리직후 및 대기중 노출에 따른 화학적 결합특성 및 광학적 특성을 관찰하였다. 용액처리 직후, 표면에는 As-Se 결합이 형성되었으며 Se는 한가지 산화상태인 -2 가로 존재함이 관찰되었다. 또한 세정처리후의 표면보다 Se 용액처리 이후에 PL의 피이크 세기가 크게 증가됨으로부터 Se 용액처리가 GaAs의 표면상태밀도를 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 그러나 처리 직후 공기중 노출없이 관찰한 GaAs 표면에서 산화막이 국부적으로 관찰되었으며 이렇게 처리과정중 생성된 산화막은 대기중 노출에 따라 산화막 성장을 유도하고 표면처리 효과를 저하시키는 주요인으로 작용함을 알 수 있었다. 이는 Se 용액처리된 GaAs 표면의 PL 강도가 대기중 노출에 따라 감소하며 세정처리후 GaAs 표면의 PL 강도와 유사한 값을 나타냄으로 부터도 확인할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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