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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제3호
발행연도
1994.9
수록면
337 - 340 (4page)

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기판의 크기에 따른 Strained Layer에서의 응력 풀림 현상을 연구하기 위하여 마이크론 이하에서 50 마이크론의 크기를 가지는 메사 구조를 제작하였다. 제작된 메사 구조위에 성장시킨 GeSi층은 마이크로 Raman, XPS, I-V와 C-V측정에 의하여 응력의 풀림현상을 관찰하였다. 이 실험을 통하여, 메사구조 위에 성장시킨 Ge_xSi_(1-x) 층에서의 응력 풀림이 편평한 기판위에 성장시킨 경우에 비하여 원활하였다. 이것은 메사 구조의 가장자리의 Strain Dislocation이 편중되는 것으로 이해될 수 있다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

Acknowledgement

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001261591