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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제3호
발행연도
2001.10
수록면
328 - 334 (7page)

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초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 NO/N₂O 질화산화막 및 재산화 질화산화막의 특성을 D-SIMS(dynamic secondary ion mass spectrometry), ToF-SIMS(time-of-flight secondary ion mass spectrometry), XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 N₂O 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록 하였다. D-SIMS 분석결과 질소의 중심은 초기산화막 계면에 존재하며 열처리 공정에서 NO에 비해서 N₂O의 경우 질소의 분포는 넓게 나타났다. 질화산화막내 존재하는 질소의 상태를 조사하기 위하여 ToF-SIMS 및 XPS 분석을 수행한 결과 SiON, Si₂NO의 결합이 주도적이며 D-SIMS에서 조사된 질소의 중심은 SiON 결합에 기인한 것으로 예상된다. 재산화막/실리콘 계면근처에 존재하는 질소는 Si₂NO 결합형태로 나타나며 이는 ToF-SIMS로 얻은 SiN 및 Si₂NO 결합종의 분포와 일치하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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