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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1999.8
- 수록면
- 245 - 248 (4page)
이용수
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최근 TFT-LCD용 대형화면을 위한 저저항 gate line 또는 data line이 요구되고 있다. 이에 따라 저저항 AI-allay에 대한 연구가 활발히 진행되고 있고, 10 μΩ㎝ 보다 작은 저항값이 요구되고 있다. 본 논문에서는 D.C. mag. sputtering system을 이용하여 다양한 조건하에서 Al-Nd와 Al-Zr의 박막을 성장하였다. 각각의 sample들은 SEM, AFM, XRD와 4-point-probe를 사용하여 그 특성을 조사하였다. 본 실험에서의 최적 조건은 120℃, 125W, 0.4Pa, 30 SCCM(Ar), 350℃-20 min. annealing에서 얻을 수 있었고, 그 때의 Al-Zr(0.9%wt.)의 저항값은 약 4 μΩ㎝ 이다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments and Results
Ⅲ. Conclusion
Acknowledgements
Reference
참고문헌 (0)
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