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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제2호
발행연도
1994.6
수록면
212 - 219 (8page)

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Hot wall epitaxy법에 의하여 GaAs(100)면 위에 ZnS-ZnSe 초격자를 성장하였다. ZnS-ZnSe 초격자의 주기는 x-선 회절 패턴에 의하여 확인되었고, 이것은 변형을 고려하여 계산된 이론적인 패턴과 비교되었다. 경계면에 평행한 ZnS와 ZnSe의 변형의 비는 ZnSe에 대하여 ZnS의 두께가 증가할수록 감소되었다. ZnS-ZnSe 초격자의 photoluminescence(PL)는 고에너지 영역의 예리한 스펙트럼과 저에너지 영역의 폭이 넓은 스펙트럼으로 구성되어 있다. PL의 광자 에너지는 Kronig-Penney 모델을 사용하여 계산된 이론적인 에너지 값과 비교한 결과 type I의 초격자임을 알았다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Sample Preparation

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgements

References

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