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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제1호
발행연도
1995.3
수록면
18 - 25 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1995

전극 재료와 산화분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성에 관한 연구
정회환 ,  정관수 Applied Science and Convergence Technology 1995.03 학술저널

1993

산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석
정회환 ,  김동식 ,  정관수 대한전자공학회 학술대회 1993.11 학술대회자료
산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Electrical Characteristics of Gate Oxides by Oxidation Ambience )
정회환 ,  김동식 ,  정관수 대한전자공학회 학술대회 1993.11 학술대회자료

초록· 키워드

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건식, 습식, 건식/습식 산화분위기로 성장한 게이트 산화막 위에 Al, 인 도핑된 다결정 실리콘, 비정질 실리콘/인 도핑된 다결정 실리콘을 증착하여 제작한 금속-산화물-반도체(metal-oxide-semiconductor:MOS)의 전기적 특성을 순간 절연파괴(TZDB), 정전용량-전압(C-V)과 경시절연파괴(TDDB)로 평가하였다. Al 게이트에서 습식산화막과 건식산화막의 평균 파괴전계는 각각 9.0 MV/㎝, 7.7 MV/㎝이였고, 습식산화막이 건식산화막보다 낮은 유동전하(Q_m)와 계면 고정전하(Q_(ss))을 가졌다. 다결정 실리콘 게이트에서는 습식산화악의 평균 파괴전계가 8.4 MV/㎝ 이였으며, Al 게이트보다 0.6 MV/㎝ 정도 낮았다. 이것은 다결정 실리콘/습식산화막 계면에서 인(phosphorus) 확산으로 다결정 실리콘의 grain 성장과 산화막의 migration에 의한 roughness 증가에 기인한다. 그러나 다결정 실리콘/건식산화막 계면에서 roughness 증가는 없었다. 다결정 실리콘 게이트에서는 건식/습식 산화막이 건식산화막과 습식산화막보다 평균 파괴전계와 절연파괴전하(Q_(BD))가 높았다. 또한 다결정/비정질 실리콘 게이트에서는 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.8MV/㎝이였으며, 다결정 실리콘 게이트에서 보다 0.4MV/㎝ 정도 높았다. 다결정/비정질 실리콘 구조는 앞으로 VLSI 적용에 있어서 게이트 전극으로 매우 유용할 것이다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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