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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제3호
발행연도
1992.10
수록면
376 - 381 (6page)

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인이 고농도로 도우핑된 다결정 실리콘상에 LPCVD 방법으로 텅스텐 실리사이드막을 증착하였다. 폴리사이드 구조에 여러 가지 조건으로 열처리를 한 뒤, XTEM, SIMS 및 고주파 C-V법 등으로 분석하였다. 열처리에 따라 다결정 실리콘내 도판트 불순물이 텅스텐 실리사이드를 통해 외향확산하여 실리콘 산화막 계면부근에 인의 공핍층을 형성하게 된다. 이와 같은 공핍층이 존재하므로서 게이트 용량이 감소하게 되고, 실효 게이트 산화막의 두께가 증가하는 것으로 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 검토

4. 결론

참고문헌

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