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이용수
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 검토
4. 결론
참고문헌
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텅스텐 폴리사이드막의 열산화에서 인 불순물 효과
Applied Science and Convergence Technology
1995 .09
텡스텐 실리사이드 상의 얇은 SiO₂ / Si₃N₄ 막의 특성평가
Applied Science and Convergence Technology
1992 .02
LPCVD에 의한 텅스텐 실리사이드 게이트 증착 및 RTP 열처리에 의한 특성 변화 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2000 .07
W - Polycide 게이트 구조에서 텅스텐 실리사이드 증착 방법에 따른 게이트 산화막의 내압 특성
Applied Science and Convergence Technology
1995 .09
스파터링(Sputtering)법으로 증착된 텅스텐(W) 게이트(Gate) 금속의 열처리 전후 영향에 대한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1999 .02
나노급 N-type 폴리실리콘게이트의 니켈실리사이드 공정에 따른 안정화 효과
한국진공학회 학술발표회초록집
2008 .08
전극 재료와 산화분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성에 관한 연구
Applied Science and Convergence Technology
1995 .03
LPCVD로 성장된 텅스텐 게이트의 물리ㆍ전기적 특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
1999 .07
텅스텐 실리사이드 산화시 발생하는 이상산화 현상 억제에 미치는 이온 주입 효과
Applied Science and Convergence Technology
1994 .09
Sputter로 증착된 케이트 SiO₂ 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1996 .02
열처리 조건과 부도체 박막 변화에 따른 다결정 실리콘 게이트에서의 보론 거동조사
한국진공학회 학술발표회초록집
1992 .07
Two - zone 확산법을 이용한 다결정 실리콘 박막으로의 Phosphorus 도핑에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2000 .02
Band alignment and optical properties of (ZrO₂)0.66(HfO₂)0.34 gate dielectrics thin films on p-Si (100)
한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .02
마이크로파 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)과 저압 화학기상증착법(LPCVD)을 이용한 실리콘 기판 위에서의 텅스텐 박막증착
Applied Science and Convergence Technology
1992 .06
Tungsten polycide gate 구조에서 WSix 두께와 fluorine 농도가 gate oxide 특성에 미치는 영향
Applied Science and Convergence Technology
1996 .12
60 ㎚ 와 20 ㎚ 두께의 수소화된 비정질 실리콘에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
Applied Science and Convergence Technology
2008 .11
Co / Si 다층박막에서 고상확산에 의한 실리사이드 생성에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1993 .02
Subthreshold Characteristics of Poly - Si Thin - Film Transistors Fabricated by Using High - Temperature Process
Applied Science and Convergence Technology
1995 .09
음극이 자동 정렬된 화산형 초미세 실리콘 전계방출 소자 제작
Applied Science and Convergence Technology
1996 .06
LPCVD로 증착한 텅스텐 박막의 증착 조건 제어에 의한 접착성 및 저항 특성 향상
Applied Science and Convergence Technology
2000 .12
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