지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.5
- 수록면
- 77 - 81 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)의 거울반사점(specular spot) 강도의 주기적인 진동을 이용하여, 계면금속(surfactant)Sn을 흡착하지 않은 경우와 흡착한 경우 Ge(111) 표면 위에서 Ge의 층상성장을 조사하였다. 계면금속을 흡착하지 않았을 경우, 기판온도 200℃에서 반점의 강도가 24ML 정도 안정되게 진동하는 것으로 보아, Ge 층상성장의 최적온도로 생각되었다. 계면금속(Sn) 0.5 ML를 Ge(11l) 표면위에 흡착시킨 후, Ge 성장에서는 기판온도 200℃에서 성장초기에 불규칙한 진동이 나타났으며, 반점강도의 주기적인 운동이 흡착하지 않은 경우 보다 더 큰 진폭으로 38ML 이상까지 관찰되었으며 Ge이 성장하는 동안 d2×2 구조의 변화가 없었다. 이는 계면금속이 교환작용으로 성장표면 쪽으로 편석(segregation)하면서 흡착원자의 표변확산 거리를 저해시켜 3차원적 핵성장에 의한 층상성장을 저해하고 대신 2차원적 성장을 도우는 것으로 생각된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Ge / Si(111)면에서 중간금속이 Si, Ge Epitaxial 성장에 미치는 영향
한국진공학회 학술발표회초록집
1992 .07
-
Epitaxial Growth of Ge on Si(100) and Si(111) Surfaces
Applied Science and Convergence Technology
1993 .06
-
Ge 층을 증착한 Si 기판에서의 Ge Nanowire에 대한 특성 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
-
Li/Ge(111)-3×1 표면의 Core-level 스펙트럼에 대한 분석 연구
Applied Science and Convergence Technology
2006 .01
-
[약학] 유기게르마늄 화합물인 Ge-132의 분석법
분석과학
1995 .09
-
The effects of low temperature Ge buffer layers on the growth of pure Ge on Si(001)
한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .02
-
자성 원자를 치환한 1차원 클러스터의 전자구조 및 자성구조 계산
한국자기학회지
2009 .10
-
자외선 광여기 전자현미경을 이용한 Si 표면 위에 Ge 나노구조의 성장 동역학에 관한 실시간 연구
Applied Science and Convergence Technology
2007 .03
-
AFM을 이용한 Ge 나노구조의 형성과 성장과정에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2008 .02
-
AFM을 이용한 Si (001) 표면에 Ge 나노점의 형성과 성장과정에 관한 연구
Applied Science and Convergence Technology
2008 .05
-
THE ORIGIN OF THE METALLIC STATES ON The Ge(100) SURFACE
한국진공학회 학술발표회초록집
2002 .06
-
Surface Reactions of Atomic Hydrogen with Ge(100) in Comparison with Si(100)
Applied Science and Convergence Technology
2017 .11
-
Epitaxial growth of Ge on Si(114) - 2×1
한국진공학회 학술발표회초록집
2005 .02
-
신규 Ge precursor를 이용한 Ge 박막 및 GST 박막 제조와 특성 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
-
Nucleation and growth of Co on Ge(001)
한국진공학회 학술발표회초록집
2007 .02
-
Formation of nanocrystal Ge in the nano-scaled hemisphere of Ge-nitride by implanting N₂⁺gas
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .02
-
Effects of growth temperatures to the magnetic properties of Co/Ge(111) films
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2007 .05
-
Spin Transport in Ge at Room Temperature
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2010 .12
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001266672