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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
곽호원 (경북대학교 물리학과) 이의완 (경북대학교 물리학과) 박동수 (경북대학교 물리학과) 곽이상 (경북대학교 물리학과) 이충화 (경북대학교 물리학과) 김학봉 (경북대학교 물리학과) 이운환 (대구교육대학)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제3권 제3호
발행연도
1993.1
수록면
230 - 236 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1998

계면금속(Sn)이 흡착된 Ge(111)표면에서의 Ge의 층상성장에 대한 연구
곽호원 Applied Science and Convergence Technology 1998.05 학술저널

1993

Si(111) Homoepitaxial성장에서 중간금속이 미치는 영향
곽호원 ,  이의완 ,  박동수 외 4명 한국재료학회지 1993.01 학술저널

1992

Ge / Si(111)면에서 중간금속이 Si, Ge Epitaxial 성장에 미치는 영향
곽호원 ,  엄창민 ,  박동수 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 1992.07 학술대회자료

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Si(111) 표면위에 Si을 homepitaxial 성장시킬때 중간 금속인 Ag, Sn등을 흡착시키지 않을 경우와 흡착시킬 경우 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상의 경면반사점(specular spot)강도의 주기적 변화를 관찰함으로써 두 경우의 Si결정성장 과정의 차이점을 관찰하였다. 중간금속을 흡착하지 않을 경우 성장 초기에는 흡착Si원자가 Si(111) $7{\times}7 $구조의 Stacking Fault층을 먼저 채우고난 후 정상적인 충상성장을 하기 때문에 성장초기에는 불규칙적인 진동을 나타내다가 약 6ML정도부터 주기적인 진동으로 바뀜이 관찰되었다. 그러나, 중간금속인 Ag, Sn을 Si(111)위에 1ML흡착시키면 Ag의 경우 300~$600^{\circ}C$, Sn의 경우 190~$860^{\circ}C$의 시료온도에서 표면구조가 ${\sqrt}{3}{\times}{\sqrt}{3}$구조로 바뀜이 RHEED상으로 관찰되었다. 그리고 난 후에 Si을 흡착시킬 경우 RHEED 상의 경면반사점 강도는 초기부터 주기적일 변화를 가짐이 관찰되었으며${\sqrt}{3}{\times}{\sqrt}{3}$구조는 변함이 없었다. 또한 보다 낮은 시료 온도에서 많은 진동이 관찰되었다. 이는 중간금속이 성장표면쪽으로 편석하면서 흡착원자 Si의 표면확산에 대한 활성호 에너지를 감소시켜 주기 때문이라 생각된다.

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