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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제3호
발행연도
1998.8
수록면
208 - 213 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

1998

SiO₂와 Co / Ti 이중층 구조의 상호반응
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 1998.08 학술저널
$SiO_2$와 Co/Nb 이중층 구조의 상호반응
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널
$\textrm{SiO}_2$기판 위에 증착된 Co/Hf 이중층의 계면반응
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널
다결정 Si기판 위에서의 Co/Ti 이중층의 실리사이드화
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1996

Cu와 Co 및 Co/내화금속 이중층 실리사이드 계면의 열적 안정성
권영재 ,  이병욱 ,  이종무 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

초록· 키워드

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최근 셀리사이드(salicide) 제조시 CoSi₂의 에피텍셜 성장을 돕기 위하여 Ti 층을 삽입한 Co/Ti/Si 이중층 구조의 실리사이드화가 관심을 끌고 있다. Co/Ti 이중층을 이용한 Salicide 트랜지스터가 성공적으로 만들어지기 위해서는 gate 주위의 spacer oxide 위에 증착된 Co/Ti 구조가 열적으로 안정해야 한다. 이러한 배경에서 본 연구에서는 SiO₂기판 위에 증착한 Co/Ti 이중층을 급속열처리할 때 Co/Ti와 SiO₂ 간의 계면에서의 상호반응에 대하여 조사하였다. Co/Ti 이중층은 600℃ 에서 열처리한 후 면저항이 급격하게 증가하기 시작하였는데, 이것은 Co 층이 SiO₂와의 계면에너지를 줄이기 위하여 응집되기 때문이다. 이 때 Co/Ti의 열처리후 Ti에 의하여 SiO₂기판의 일부가 분해됨으로써 절연체의 Ti 산화물이 형성되었으나, 이외의 도전성 반응부산물은 발견되지 않았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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