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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.10
- 수록면
- 321 - 327 (7page)
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Radio frequency magnetron sputtering방법으로 타켙의 Ti/Si 조성과 N₂ 유량을 변화시켜 증착한 다양한 조성비의 Ti-Si-N 박막의 비저항 변화와 확산방지능력을 조사하였다. 높은 Si 함량을 포함한 Ti-Si-N박막내의 Si은 주로 비정질의 Si3N₄ 형태로 존재하였으며 N₂의 양이 증가함에 따라 비저항도 증가하였다. 반면, 낮은 Si 함량을 포함한 Ti-Si-N박막은 낮은 N₂ 유량에서도 결정질의 TiN이 형성되었고 낮은 비저항을 나타내었다. 또한, 박막 내의 N의 양이 증가함에 따라, 높은 박막의 밀도와 압축응력을 갖는 Ti-Si-N이 형성되었으며, 이는 박막 내의 N의 함량이 확산방지능력에 영향을 미치는 가장 중요한 요소 중 하나로 판단된다. 결과적으로, 29～49 at.% Ti, 6～20 at.% Si, 45～55 at.% N 범위의 조성을 갖는 Ti-Si-N 박막이 우수한 확산 억제 능력을 보유하면서 또한 낮은 비저항 특성을 나타내는 데 적합한 조성 범위로 나타났다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과
4. 결론
감사의 글
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