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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
293 - 299 (7page)

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Cu가 흡착된 Si(100) 2×1 표면의 원자구조와 전자구조를 연구하기 위해 기판온도와 증착량을 변화시키면서 각 조건에 대해서 LEED 패턴과 수직방향(θ_e=0°) UPS 스펙트럼을 분석했다. UPS 스펙트럼들에는 상온증착했을 때 1.3 ML 이하 증착량에서 실리사이드와 관련된 전자구조가 약하게 나타났고, 증착량을 증가시킴에 따라 Cu 3d 밴드의 세기가 급격히 증가하였다. 실리사이드 형성을 나다내는 전자구조는 상온증착 후 300℃ 이상 열처리 하거나 기판온도 400℃에서 증착했을 때 더욱 뚜렷이 구분되어 관찰 되였다. 이 전자구조들은 실리사이드의 유리 및 탈착온도인 750℃로 열처리 했을 때 사라졌다. 특히, 기판온도 400℃에서 증착하면 낮은 증착량에서는 페르미 준위를 지나는 표면상태 피크가 관측되었다. Rigid band model에 따르면 이 피크는 표면의 비어있는 전자상태(surface empty state)에 Cu의 4s¹ 전자가 체워지면서 생기는 것으로 여겨진다. LEED 패턴 관찰에서는 상온증착 및 상온증착 후 열처리 했을 때 Cu에 의한 초격자상은 관찰되지 않았지만, 기판의 온도를 변화시키면서 증착하였을 때 기판온도에 따라 Cu에 의한 여러가지 초격자상이 관찰되었다. 즉, 400℃에서 1.5 ML 증착하면 청정표면 2×1+2×2, 450℃에서 0.5 ML 증착하면 청정표면 2×1+5×1, 450℃에서 3 ML 증착하면 청정표면 2×1+2×2+5×2+5×5+10×2 등 LEED 패턴을 관찰할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험조건

3. 결과 및 토론

4. 결론

참고문헌

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