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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제2호
발행연도
1998.5
수록면
88 - 93 (6page)

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본 연구에서는 기계-화학적 연마(Chemical-Mechanical-Polishing: CMP)공정을 이용하여 게이트 전극을 가지는 실리콘 전계방출 소자를 제작하였으며, 또한 그 전자방출 특성을 분석하였다. 실리콘 전계방출 소자를 제작하기 위해 실리콘을 두단계로 이루어진 건식식각과 산화공정으로 팁을 뾰족하게 만들었으며, 게이트를 형성하기 위하여 고 선택비를 가지는 CMP 공정을 사용하였으며, 연마 시간과 연마 압력의 변화로 게이트 높이와 개구의 직경을 쉽게 조절할 수 있었다. 또한, CMP공정시 발생되는 디싱(dishing)문제를 산화막 마스킹을 사용함으로 해결하여 자동 정렬된 게이트전극의 개구를 깨끗하게 형성할 수 있었다. 제작된 에미터의 높이와 팁끝의 반경은 각각 1.1 ㎛, 100 Å 정도이며, 제작된 2809개의 팁 어레이로 80 V의 게이트전압에서 31 ㎂의 방출전류를 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 소자제작

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001266576