지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.4
- 수록면
- 22 - 26 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
Plasma assisted molecular beam epitaxy(PAMBE)를 사용하여 Si 기판 위에 성장시킨 AIN 박막에 대하여 성장온도 및 기판의 방향성에 따른 박막의 결정성 변화를 분석하였다. Reflection high energy electron diffraction(RHEED) 패턴을 이용하여 성장 중의 결정성을 관찰하였고, 성장 후에는 X-ray diffraction (XRD), double crystal X-ray diffraction(DCXD), transmission electron microscopy/diffraction(TEM/TED) 분석을 하였다. 850℃ 이상의 온도에서 Si(100)웨서 성장된 AIN박막은 육방정계의 c축 방향으로 우선 배향되었음을 확인하였으며 Si(111)위에 성장된 AIN박막의 경우 AIN(0001)/Si(111), AIN(1100)/Si(110),AlN(1120)/Si(112)의 결정방위를 가지고 성장하였음을 확인하였다. 또한 Si(111)기판 위에서는 전위와 적층결함 등 많은 결정결함에 의해 DCD 패턴의 반치폭이 2θ=36.2˚에서 약 3000arcsec에 이르는 등 결정성은 좋지 않았으나 AIN박막이 단결정으로 성장된 것으로 나타났다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
PAMBE를 사용하여 성장된 AlN의 성장온도에 따른 AlN / Si의 구조적 특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2000 .02
-
A study on the interface of AlN / Si
한국진공학회 학술발표회초록집
1998 .07
-
스퍼터링 방법에 의한 AlN / Si(111)의 성장 방향과 표면 거칠기의 성장 시간에 대한 연구
Applied Science and Convergence Technology
1998 .08
-
Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교
한국진공학회 학술발표회초록집
2002 .02
-
Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교
Applied Science and Convergence Technology
2002 .04
-
In-situ magnetization measurements and ex-situ morphological analysis of electrodeposited cobalt onto chemical vapor deposition graphene/SiO<sub>2</sub>/Si
Carbon letters
2017 .01
-
Synchrotron X - ray scattering study on oxidation of epitaxial AlN films on Sapphire(0001), Si(001), Si(111) substrates
한국진공학회 학술발표회초록집
2001 .02
-
Si - O - C - H 저유전율 박막의 특성 연구 Study of Low - k Si - O - C - H Thin Films
한국진공학회 학술발표회초록집
1999 .07
-
The variation of lattice constants of AlN on Si (111) during the growth
한국진공학회 학술발표회초록집
1998 .07
-
분자선에피택시에 의해 Si (100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성에 대한 기판 세척효과
Applied Science and Convergence Technology
2010 .09
-
MBE로 성장시킨 GaN / AlN / Si(111)구조의 특성 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2000 .07
-
Si(001)2×1 표면에 성장된 극초박막에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1998 .02
-
The cross - over of the growth orientation in AlN(0002) / Si(001) films during off - axis RF sputter growth.
한국진공학회 학술발표회초록집
1999 .02
-
Al 박막이 증착 된 Si(111) 기판 위에 HVPE 방법으로 성장한 GaN의 특성
Applied Science and Convergence Technology
2005 .12
-
산소 유량비 변화에 따른 AlN 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성
Applied Science and Convergence Technology
2010 .07
-
절연체(CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구
Applied Science and Convergence Technology
1999 .08
-
A first principles study on magnetism of Fe3Si on Si(001) and Si(111) substrates
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .02
-
산소 플라스마에서의 분자살 적층성장에 의한 CeO₂ 박막의 성장과 구조
Applied Science and Convergence Technology
2000 .02
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001267871