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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제3호
발행연도
1998.8
수록면
237 - 241 (5page)

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In-situ X선 산란 방법을 이용하여 R.F. 스퍼터링 방법에 의하여 성장시킨 AlN/Si(111) 박막의 우선 성장 방위와 표면 거칠기의 성장 시간에 따른 변화를 연구하였다 . 대부분의 성장 조건하에서 초기의 AlN 박막은 <001> 우선 성장 방위를 가지고 성장하였다. 하지만 박막의 두께가 증가함에 따라 우선 성장 방위가 많이 바뀌었는데 이 현상은 높은 기판 온도와 높은 R.F. power에서 더욱 뚜렷이 나타났다. 이러한 현상은 <001> 성장 방위를 선호하는 표면 에너지와 우선 성장 방위의 무질서도를 증가하게 하는 응력(strain) 에너지에 관련된 것으로 해석된다. 이 실험에서는 X-선 반사율을 측정하여 성장 도중의 표면 현상 또한 연구하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

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