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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제1호
발행연도
2001.4
수록면
72 - 80 (9page)

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본 논문에서는 ELA(excimer laser annealing) 및 SMC(silicide mediated crystallization) 공정으로 제작된 다결정 실리콘 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 화소의 전기적 특성을 Spice회로 시뮬레이션을 통해 비교 분석하였다. 복잡한 TFT-LCD 어레이(array)회로의 전기적 특성 분석을 위하여 GUI(Graphic User Interface) 방식으로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수 있는 PSpice에 AIM-Spice의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 모델을 이식하고, AIM-Spice의 변수 추출법을 개선 체계화하였으며, ELA 및 SMC 공정으로 각기 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 적용하여 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 회소 특성을 비교 분석하였다. 비교 결과 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자가 SMC에 비해 TFTLCD의 화소 충전 시간 및 킥백(kickback) 전압 특성이 모두 우수하게 나타남을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 다결정 실리콘 TFT 소자 특성 파라미터 추출

3. 단위 화소 전압에 대한 PSpice 시뮬레이션 결과

4. 결론

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