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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제1호
발행연도
1992.2
수록면
212 - 222 (11page)

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고집적 SRAM 소자에 고부하저항을 대체하여 사용되는 다결정 박막 실리콘 트랜지스터(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor : Poly-Si TFT)의 제조공정에 대하여 연구하였다. TFT 제조에 있어서 큰 전하 이동도, 낮은 누설 전류, 큰 On 전류, 낮은 subthreshold swing 등의 전기적 특성을 만족시키기 위하여 현재 많은 연구가 이루어지고 있는, channel poly내에 trap density를 낮추기 위한 공정기술들 즉 저온 고상결정 성장법(solid phase growth : SPG), Si 이온 주입, laser annealing, hydrogenation 등 channel poly 형성 공정에 대해 논의하였다. TFT의 gate oxide로 사용될 여러 CVD oxide의 전기적 특성을 비교하였으며 또한 source-drain 형성공정 중 이온주입 dose, drain offset length, dopant의 lateral diffusion과 TFT의 전기적 특성과의 관계에 대하여 논하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 본론

3. 결론

참고문헌

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