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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제2호
발행연도
2007.3
수록면
134 - 140 (7page)

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V₂O? 박막의 성장특성을 분석하기 위해 RF 스퍼터링 시스템으로 C-Si 기판에 10 %와 0 %의 산소 분압비로 시료를 제작하였다. 구조적 특성의 분석을 위해 SEM과 XRD 측정을 실시하였고, 위상변조방식의 분광타원계를 이용하여 0.75~4.0 eV 범위에 걸쳐 타원상수를 측정하였다. 측정된 타원상수 분석을 위해 상용화된 분석용 프로그램인 DeltaPsi2를 이용하여, Double Amorphous 분산관계식으로 최적 맞춤 하였다. SEM과 XRD 측정결과 시료의 표면 및 결정 상태는 비정질임을 확인하였고, 타원상수의 분석에 의해 V₂O?층의 두께, void비율, 표면 거칠기를 알 수 있었다. 또한 SEM 측정치와 비교한 결과 두 시료의 두께와 표면 거칠기의 결과가 잘 일치함을 확인 하였다

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 시료의 제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (6)

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