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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제2호
발행연도
1994.6
수록면
166 - 172 (7page)

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박막이 성장하는 동안 박막성장 상태를 관찰하기 위한 in-situ 타원해석기를 제작하였다. 이 타원해석기는 He-Ne 레이저를 광원으로 사용하며 회전검광자형으로 광량측정방식을 채택하였다. 이 타원해석기는 편광자 모듈과 검광자 모듈 및 제어부로 구성되어 있으며 이들 모듈은 각각 스퍼터링 챔버에 부착되었다. c-Si 기판 위에 열산화 과정으로 성장시킨 SiO₂ 박막을 표준시료로 사용하여 보정 및 성능평가를 하였다. 또한 RF 스퍼터링으로 c-Si 기판 위에 SiO₂ 박막을 성장시키면서 타원해석상수 ψ, △을 측정하고 근사적 모델에 의한 ψ, △의 전산모의 성장곡선과 비교해 보았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 이론

3. 실험장치

4. 보정과정

5. 성능평가 및 토의

6. 결론

감사의 글

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