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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.3
- 수록면
- 165 - 169 (5page)
이용수
초록· 키워드
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반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 indium tin oxide(ITO)박막의 두께 균일도가 ±4%~±5% 정도로 중앙부분이 더 두껍다. 방전전극 구조물을 설계하고 제작하여 sputtering되는 물질의 방향을 조절하였다. 개량된 sputtering gun을 사용하여 기판고정식 sputtering 장비에서 4" wafer 내에서 ±0.8~1.3% 정도로 두께 균일도를 증가시켰다. wafer to wafer에서는 ±5.3%에서 ±1.5% 로 두께 균일도가 향상되었다. Al박막의 경우 ±1.0% 이내의 두께 균일도를 얻을 수 있었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
1. [단행본] - John L. / 1978 / THIN FILM PROCESSES / ACADEMIC PRESS : 75 ~ 113
2. [단행본] - Brian Chapman / 1980 / Glow Discharge Processes SPUTTERING AND PLASMA ETCHING / JOHN WILEY & SONS : 177 ~ 296
3. [학술지(정기간행물)] - T.I. Lee / 2002 / J. Kor. Vac / Soc 11 (1)
4. [학술지(정기간행물)] - J.S. Kim / 2006 / J. Kor. Vac / Soc 15 (404)
5. [학술지(정기간행물)] - H.C. Choi / 2007 / J. Kor. Vac / Soc 16 (433)
2. [단행본] - Brian Chapman / 1980 / Glow Discharge Processes SPUTTERING AND PLASMA ETCHING / JOHN WILEY & SONS : 177 ~ 296
3. [학술지(정기간행물)] - T.I. Lee / 2002 / J. Kor. Vac / Soc 11 (1)
4. [학술지(정기간행물)] - J.S. Kim / 2006 / J. Kor. Vac / Soc 15 (404)
5. [학술지(정기간행물)] - H.C. Choi / 2007 / J. Kor. Vac / Soc 16 (433)
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