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저자정보
한상호 (광운대학교) 김윤중 (광운대학교) 김정현 (광운대학교) 정종윤 (광운대학교) 김현철 (광운대학교) 조광섭 (광운대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제3호
발행연도
2012.5
수록면
164 - 170 (7page)

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청색 발광다이오드(LED) InGaN/GaN의 방사 피크 파장에 따른 LED 소자의 성능 저하를 광학적 및 전기적 특성을 고려하여 조사하였다. 방사 피크 파장이 437∼452 ㎚인 LED 소자에 전류를 각각 60 ㎃, 75 ㎃, 그리고 90 ㎃로 구동하여 장시간 동안 스트레스를 주었다. 형광체의 유무에 따라서 LED 소자의 광 감쇠 특성을 관측하였다. 형광체가 없는 소자의 광 감쇠 특성은 피크 파장이 단파장일수록 급속하게 떨어진다. 형광체가 있는 소자는 형광체가 없는 것보다 감쇠 특성이 둔감해진다. 전기적 특성은 방사 피크 파장에 의존하지 않고, 스트레스 시간에 따른 LED의 내부 저항이 서서히 증가하는 현상으로 나타난다. 피크 파장에 따른 외형변화는 동일 전류 조건에서 단파장일 때 열화현상이 심하게 발생한다. 이는 청색 발광다이오드에서 발생한 빛의 파장이 단파장영역으로 갈수록 칩 외의 재료에서 단파장 광 흡수가 증가하여 열화현상이 가속화되는 것으로 분석된다. 따라서 LED 소자의 장수명을 얻기 위해서는 청색 칩의 방사 피크 파장과 소자재료의 광 열화해석이 중요하다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (13)

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