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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Junghoon Joo (Kunsan National University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.23 No.4
발행연도
2014.7
수록면
169 - 178 (10page)

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Fluid model based numerical analysis is done to simulate a low damage etch back system for 20 nm scale semiconductor fabrication. Etch back should be done conformally with very high material selectivity. One possible mechanism is three steps: reactive radical generation, adsorption and thermal desorption. In this study, plasma generation and transport steps are analyzed by a commercial plasma modeling software package, CFD-ACE+. Ar + CF4 ICP was used as a model and the effect of reactive gas inlet position was investigated in 2D and 3D. At 200∼300 mTorr of gas pressure, separated gas inlet scheme is analyzed to work well and generated higher density of F and F2 radicals in the lower chamber region while suppressing ions reach to the wafer by a double layer conducting barrier.
#numerical modeling #inductively coupled plasma #etch back #gas inlet position #CFD-ACE+

목차

Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Numerical Model Setup
Ⅲ. Simulation Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S. K. Kwon / 1999 / / J. Cry. Growth 198/199 : 1039 ~ google schola 2. [학술대회논문] - Junghoon Joo / 2008 / / Proceedings of International Conference on Microelectronics and Plasma Technologies : 531 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - 김영욱 / 2008 / 원격 유도결합 플라즈마 시스템의 특성 해석 / 한국표면공학회지 41 (4) : 134 ~ 141 dbpia 4. [학술지(정기간행물)] - 이경효 / 2007 / 페라이트 유도 결합 플라즈마 특성 연구 / 새물리 55 (1) : 28 ~ 35 google schola 5. [기타자료] - PSK inc / / Korean patent No. 10-2011-0110517 google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001275082