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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제4호
발행연도
2019.1
수록면
344 - 349 (6page)

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The optical gain of a strained GaAs 1−x N x /GaAs quantum-well laser has been calculated for a nitrogen concentration of 0.03 corresponding to a so-called dilute alloy. The eff ect of the density of carriers along with that of the quantum well width on the optical gain of the considered laser have been investigated and analyzed. Besides, the emitted wavelength has been also derived as a function of the quantum well width. Numerical results clearly show that by increasing the density of carriers and the quantum well width the optical gain is increased. The emitted wavelength is also enhanced as the quantum well width is augmented. The laser diode being studied here is shown to emit in the infrared-red region of the electromagnetic spectrum.

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