실리콘 나노와이어 N-채널 GAA MOSFET의 항복특성

류인상; 김보미; 이예린; 박종태

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자료유형: 학술저널

저자정보: 류인상 (인천대학교) 김보미 (인천대학교) 이예린 (인천대학교) 박종태 (인천대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제20권 제9호

발행연도: 2016.9

수록면: 1,771 - 1,777 (7page)

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본 논문에서는 나노와이어 N-채널 GAA MOSFET의 항복전압 특성을 측정과 3 차원 소자 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 측정에 사용된 나노와이어 GAA MOSFET는 게이트 길이가 250nm이며 게이트 절연층 두께는 6nm이며 채널 폭은 400nm부터 3.2um이다 . 측정 결과로부터 나노와이어 GAA MOSFET의 항복전압은 게이트 전압에 따라 감소하다가 높은 게이트 전압에서는 증가하였다. 나노와이어의 채널 폭이 증가할수록 항복전압이 감소한 것은 floating body 현상으로 채널의 포텐셜이 증가하여 기생 바이폴라 트랜지스터의 전류 이득이 증가한 것으로 사료된다. 게이트 스트레스로 게이트 절연층에 양의 전하가 포획되면 채널 포텐셜이 증가하여 항복전압이 감소하고 음의 전하가 포획되면 포텐셜이 감소하여 항복전압이 증가하는 것을 알 수 있었다. 항복전압의 측정결과는 소자 시뮬레이션의 포텐셜 분포와 일치하는 것을 알 수 있었다.

#나노와이어 GAA MOSFET #항복전압 #floating body 현상 #Nanowire GAA MOSFET #Breakdown voltage #Floating body effect

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[학술지(정기간행물)] - J. T. Park / 2002 / Multiple gate SOI MOSFETs :Device design guidelines / IEEE Transactions on Electron Devices 49 (12) : 2222 ~ 2228

[학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 2004 / Multiple-gate SOI MOSFETs / Solid-state Electronics 48 (6) : 897 ~ 905

[학술지(정기간행물)] - M. D. Marchi / 2014 / Top-down fabrication of gate-all-around vertically stacked silicon nanowire FETs with controllable polarity / IEEE Trans on Nanotechnology 13 (6) : 1029 ~ 1038

[학술지(정기간행물)] - M. Aoulaiche / 2010 / BJT-mode endurance on 1T-DRAM bulk FinFET device / IEEE Electron Device Letters 31 (12) : 1380 ~ 1382

[학술지(정기간행물)] - C.W. Lee / 2008 / Drain breakdown voltage in MuGFETs:influence of physical parameters / IEEE Trans Electron Dev 55 (12) : 3503 ~ 3506

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