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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 104 - 109 (6page)
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접합형 이중게이트 MOSFET와 무접합형 이중게이트 MOSFET의 경우, 문턱전압 이동 및 DIBL 현상을 분석하기 위하여 해석학적 문턱전압모델을 제시하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 유도된 급수형태의 전위분포함수를 이용하였다. 전위분포함수를 분석한 결과, 스켈링 길이의 급격한 감소로 인하여 n=1인 경우만을 사용하여도 충분하다는 것을 관찰하였으며, 본 논문의 문턱전압모델을 사용하여 구한 값은 TCAD 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 알 수 있었다. 무접합형의 경우 나노단위 소자에서 공정이 용이하다는 장점이 있으나 단채널효과가 접합형 보다 증가한다는 단점이 있다. 결과적으로 본 논문에서 제시한 문턱전압모델을 이용하여 구한 문턱전압이동은 채널길이 25 nm, 채널두께 10 nm, 산화막 두께 2 nm에서 접합형 이중게이트 MOSFET가 무접합형 이중게이트 MOSFET보다 약 57% 향상된 결과를 나타내고 있었다. DIBL의 경우 게이트금속의 일함수가 5 eV일 때 약 12%정도 접합형 MOSFET가 무접합 이중게이트 MOSFET보다 향상된 결과를 보였다. 또한 게이트 금속의 일함수를 감소시키면 DIBL 값이 크게 감소하는 것을 알 수 있었다.
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참고문헌 (10)
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E. Rauly / 2001 / Investigation of Deep Submicron Single and Double Gate SOI MOSFETs in Accumulation Mode for Enhanced Performance / Electrochemical and Solid-State Letters 4(3):G28
H. Lu / 2008 / Semicond. Sci. Technol 23:015006
Qian Xie / 2017 / Analysis of Short-Channel Effects in Junctionless DG MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 64(8):3511~3514
Antonio Gnudi / 2013 / Semianalytical Model of the Subthreshold Current in Short-Channel Junctionless Symmetric Double-Gate Field-Effect Transistors / IEEE Transactions on Electron Devices 60(4):1342~1348
Thomas Holtij / 2014 / Compact Model for Short-Channel Junctionless Accumulation Mode Double Gate MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 61(2):288~299
H. Lu / 2008 / Semicond. Sci. Technol 23:015006
Qian Xie / 2017 / Analysis of Short-Channel Effects in Junctionless DG MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 64(8):3511~3514
Antonio Gnudi / 2013 / Semianalytical Model of the Subthreshold Current in Short-Channel Junctionless Symmetric Double-Gate Field-Effect Transistors / IEEE Transactions on Electron Devices 60(4):1342~1348
Thomas Holtij / 2014 / Compact Model for Short-Channel Junctionless Accumulation Mode Double Gate MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 61(2):288~299
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